Чабан Ю.Я. Фізичні властивості кристалів селеніду цинку, легованих елементами І та V груп. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. - Чернівецький державний університет ім. Юрія Федьковича, Чернівці, 2000. Дисертацію присвячено отриманню кристалів селеніду цинку р-типу провідності, комплексному дослідженню їх основних фізичних властивостей і вивченню можливостей практичного використання. Шари ZnSe діркової провідності отримані методом дифузії з парової фази в закритому об'ємі. Встановлені оптимальні температурні умови для отримання мінімального поверхневого опору. Показано, що електричні властивості p-ZnSe контролюються акцепторними рівнями, обумовленими центрами заміщення (AsSе, SbSe, BiSe) і (LiZn, NaZn, KZn) з енергією активації Еа ?100 ? 140 меВ. Легування кристалів n-ZnSe спричинює домінування інтенсивного крайового випромінювання в синій області спектру і суттєве різке зменшення інтенсивності оранжевої смуги (у випадку елементів V групи) або повного її гасіння (у випадку елементів І групи). Показано, що спектри люмінесценції p-ZnSe, при 77 К, складаються з чотирьох складових смуг. Основними механізмами випромінювальної рекомбінації є міжзонна, за участю локальних енергетичних центрів і донорно-акцепторних пар. Використання методу ?-модуляції дозволило визначити або уточнити енергетичне положення особливих точок оптичних спектрів. Ключові слова: селенід цинку, дифузія з парової фази, точкові дефекти, атоми домішок, акцепторні і донорні центри, ?.-модуляція, механізми випромінювальної рекомбінації.