Представлены работы по исследованиям элементов полупроводниковой техники, по оптоэлектронике и микроэлектронике, нанотехнологиям и наноэлектронике, по исследованиям элементов радиоэлектронных устройств на полупроводниках и диэлектриках. Анализируются характеристики полупроводниковых приборов и материалов, а также влияние на них различных воздействий. Для научных сотрудников, аспирантов и инженеров, работающих в области полупроводниковой техники и оптоэлектроники, а также студентов старших курсов физических и радиофизических факультетов. СОДЕРЖАНИЕ Толмачев И.Д., Стронский А.В. Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в сенсорах и сенсорных системах (обзор) ............................................................ 5 Охрименко О.Б. Дефектные состояния на границе диэлектрический слой/карбид кремния (обзор) ........................................................................................................................................23 Шеремет В.Н. Особенности создания и электрофизические свойства омических контактов к нитриду галлия (обзор) ...................................................................................................... 41 Вахула А.А., Кукла А.Л. Моделирование параметров тонкопленочных структур для колориметрического анализа жидких сред ...................................................................................60 Данько В.А., Індутний І.З., Миньки В.І., Литвин О.С, Шепелявий Л.Є. Застосування двошарового халькогенідного фоторезисту для інтерференційної фотолітографії .........................................................................................................................................68 Індутний І.З., Михайловська К.В., Шепелявий П.Є. Вплив селективного травлення на спектр фотолюмінесценцїї поруватих nc-Si-SiOv структур ........................................................74 Денисюк Р.А., Томашик В.Н., Томашик З.Ф., Чернюк А. С, Грыцив В.И. Химико-динамическое полирование монокристаллов Cd,_vMnvTe травителями НЮ,- НІ-винная кислота ...................................................................................................................80 Сукач А.В., Тетеркин В.В. Исследэвание природы избыточного тока в InSb фотодіодах..............83 Сукач А.В., Тетеркин В.В., Ворощенко А. Т., Лукьягенко В.И., Луцишин И.Г. Спектральная фоточувствительность охлаждаемых InAs p-л-переходов..................................... 92 Тріщук M.J. Вирощування монокристалів телуридів цинку та кадмію кристалізацією із розчинів-розплавів ..............................................................................................................................100 Литовченко Н.М., Литвин П.М., Медвідь А.П., Мичко A.M., Насека Ю.М., Стрільчук О.М. Вплив наноструктур, сформованих на поверхні кристалів CdZnTe методом лазерного сканування, на спектри їх низькотемпературної фотолюмінесценції .................................................................................................................................109 Далиев Х.С., Даулетмуратов Б.К., Утамурадова Ш.Б., Мирзаирова И.К., Далиев Ш.Х., Акимова Ж.О., Олимбеков 3.0. Особенности дефектообразования в кремнии при легировании никелем различными методами .......................................................................................114