У Віснику опубліковано результати науково-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавстві, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика вісника Національного університету "Львівська політехніка" "Електроніка" охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику "Електроніка" публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. ЗМІСТ МАТЕРІАЛИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ Басюк Т.В., Василечко Л.О. Передбачення поведінки кристалічних структур твердих розчинів К.і_хК.'хАЬ03..................................................................................................................3 Кпим Г.І. Ефекти монолітизації структури термочутливої кераміки………………………………...10 Ластівка Г.І., Хандожко О.Г., Ковалюк З.Д. Динаміка політипів в кристалах Оа8е та Іп8е............15 Мякуш О.Я., Березовець В.В., Сенишин А.Т., Василечко Л.О. Нові кобальтити РЗЕ із структурою перовськіту.................................................................................................................................................22 Шпотюк М.В., Головчак Р.Я. Особливості радіаційно-індукованого фізичного старіння сульфідних та селенідних сіткових стекол.............................................................................................30 Татарин Т.Р., СавицькийД.І., Шмідбауер Е., Паульманн К, Бісмаєр У. Вплив двійников структури на провідність в Ь80М............................................................................................................35 ФІЗИКА, ТЕХНОЛОГІЯ ТА ВИРОБНИЦТВО ЕЛЕМЕНТІВ, ПРИЛАДІВ ТА СИСТЕМ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ Бартків Л.В. Розрахунок і оптимізація параметрів вгнутої голографічної ґратки для спектрального мульти/демультиплексора.........................................................................................................................43 Бахматюк Б.П., Курена А.С. Ємнісні і кінетичні властивості суперконденсатора на основі нанопористого вуглецевого матеріалу в середовищі апротонного електроліту.................................52 Берченко М.М., Фадєєв С.В., Нікіфоров О.Ю. Закономірності окиснення твердого розчину РЬ0,8SNО,2ТE....................................................................................................................................................................................61 Большакова І.А., Голяка Р.Л., Марусенкова Т.А. Польова характеристика сенсорів магнітного поля на розщеплених холлівських структурах...................................................................66 Большакова І.А., ЗаячукД.М., Кость Я.Я., Макідо О.Ю., Шуригін Ф.М. Технологія отримання віскерів СаАз у відкритому проточному реакторі..............................................................75 Бурий О.А., Убізський С.Б., СугакД.Ю. Теплові процеси в мікролазері неперервного режиму роботи на кристалі УАС:КсІ та їх вплив на параметри лазерного випромінювання.........................80 Ваків М.М., Круковський СІ., Круковський Р.С. Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Ві-ІпАз.......................................................................................................................89 Готра З.Ю., Фечан А.В., Левенець В.В., Коцун В.І, Вараниця А.В. Аналогові сенсори напруги на основі ефекту холестерико-нематичного переходу..........................................................92 Нестриженко Ю.А. Лазерні поляризатори на основі призм прямого зору.......................................98 ФІЗИКА І ТЕХНІКА НАПІВПРОВІДНИКІВ, МЕТАЛІВ, ДІЕЛЕКТРИКІВ ТА РІДКИХ КРИСТАЛІВ Горлей В.В., Кінзерська О.В., Махній В.П. Люмінесценція дифузійних шарів селеніду цинку, легованих 3 D-елементами...........................................................................................104 Готра З.Ю., ВолинюкД.Ю., Возняк Л.Ю., Костів Н.В. Органічні напівпровідникові структури ОЬЕБ на основі Ак[3 3 транспортним шаром ХіРс...............................................108 ЗаячукД.М., Микитюк В.І., Пашук А.В., Шлемкевич В.В., Швець О. Поведінка рідкісноземельної домішки Еи у монокристалах РЬТе, вирощених із розплаву методом Бріджмена....................................................................................................................................112 Кость Я.П., Андрущак А. С, Мицик Б.Г. Статична фотопружність тетрагональних кристалів за різницею ходу..............................................................................................................118 Курило І.В., ЛопатинськийІ.Є., Рудий І.О., Фружинський М.С., Фадєєв С.В., Вірш І.С., Гадзаман І.В. Структ]/ра та електропровідність спресованих матеріалів на основі оксиду цинку.....................................................................................................................126 Мудрий Р.Я. Вплив іонного травлення на дефектну структуру поверхневих шарів СсіхН?і.хТе...............................................................................................................................133 Микитюк З.М., Фечан А.В., Сушинський О.Є., Ясиновська О.Й., Коцун В.І., Левенець В.В., Заіченко О.С., Шевчук О.М. Вплив металічних наночастинок А§ на електрооптичні властивості рідкокристалічних матеріалів.....................................................139 Слинько В.Є., ВоЬгом>оІзкі Ж Розподіл домішок перехідних і рідкісноземельних елементів у зливках твердих розчинів на основі А4В6, вирощених методом Бріджмена............................144 Убізський С.Б., Павлик Л.П. Взаємозв'язок феромодуляційного ефекту з симетрією магнітної анізотропії у разі маятникоподібного перемагнічування магнітної плівки..................151 Фітьо В.М., Яремчук І.Я., Ромах В.В., Бобицький Я.В. Резонанс поверхневих плазмонів та хвилеводних мод у призових структурах......................................................................................160 ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ ТА ТЕОРЕТИЧНІ ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ ПРОЦЕСІВ Большакова І.А., Єрашок В.Е., Макідо О.Ю., Марусенков А.В., Шуригін Ф.М. Вплив опромінення високоенергетичними нейтронами та електронами на плівкові сенсори магнітного поля...........167 БуджакЯ.С, Зуб О.В. До питання про транспорт носіїв струму в кристалах селенистого свинцю…………………………………………………………………………………………….…...173 Горобець О.Ю., Потьомкін М.М. Моделювання руху феромагнітної мікрочастинки в потоці рідини під дією швидко осцилюючого магнітного поля...................................................................178 Сиротюк С.В., Швед В.М. Електронні властивості алмазу з домішкою нікелю.............................184 МЕТОДИКА ДОСЛІДЖЕНЬ Горбатий І.В. Дослідження інформаційної ефективності амплітудної модуляції багатьох складових................................................................................................................................................191 Кушнір О.С., Юркевич О.В., Андрущак А.С. Кутова стабільність максимумів вказівних поверхонь фізичних ефектів, індукованих зовнішніми полями………………………………………………...197 Мокрий О.М. Методика вимірювання поглинання ультразвукових хвиль в сильно поглинаючих середовищах....................................................................................................................205