У Віснику опубліковано результати науково-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика вісника Національного університету "Львівська політехніка" "Електроніка" охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику "Електроніка" публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. ЗМІСТ МАТЕРІАЛИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ Басюк Т.В., Василечко Л.О., Сиворотка 1.1, Березовець В., Фадєєв С.В. Взаємодія рідкісноземельних алюмінатів в системах на основі PrAlO3 та LaAlO3.....................................................................................................................3 Дружинін А.О., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Нічкало С.І. Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії.............................11 Курило І.В., Лопатинський І. Є., Рудий І.О., Фружинський М.С, Вірт І.С., Шкумбатюк Т.П. Тонкоплівкові термоелектричні модулі на основі вузькощілинних напівпровідників V2VI3..........................................................17 Лесюк Р.І., Бобицький Я.В., Їллек В., Савчук В.К., Котлярчук Б.К. Адгезія та надійність струмопровідних шарів, виготовлених струменевим друком наночастинок срібла............................................................................................24 Чекайло М.В., Українець В.О., Ільчук Г А., Павловський Ю.П. Диференціальний термічний аналіз шихти Si-Se, Ag-Si-Se в процесі її нагрівання та синтезу сполук SiSe2, Ag8SiSe6...................................................29 ФІЗИКА, ТЕХНОЛОГІЯ ТА ВИРОБНИЦТВО ЕЛЕМЕНТІВ, ПРИЛАДІВ ТА СИСТЕМ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ Большакова І.А., Голяка Р.Л., Мороз А.П., В.Е. Єрашок, Т.А Марусенкова. Сенсорні пристрої магнітного поля на сенсорах Холла з розщепленою структурою..........................................................................................................38 Браїловський В.В., Саміла А.П., Хандожко ОТ. Топологія напруженості високочастотного поля котушки давача радіоспектрометра.........................46 Гоблик В.В., Павлиш В.А., Ничай І.В. Розподіл поля діелектричної пластини зі складним профілем зміни діелектричної проникності................................51 Готра З.Ю., Голяка Р.Л., Павлов С.В., Куленко С.С. Принципи електротеплового моделювання електронних схем з динамічним саморозігрівом елементів...................................................................................57 Єрохов В.Ю. Мультиструктура для фронтальної поверхні сонячних елементів...............................................................................................................66 ЗаячукД.М., Круковський СІ, Михащук Ю.С Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії.......................................................................................71 Каліцінський В.З., Григорчак I.I, Бордун ЇМ., Матулка Д.В., Чекайло М., Кулик Ю. О. "PRE"-"POST" спряжена модифікація пористої і електронної будови активованого вугілля, отриманого з лляного волокна.........................77 Когут І.Т., Дружинін О.А., Голота В.І. Архітектура й елементи інтегрованої мікросистеми на базовому матричному кристалі з КНІ-структурою..............86 Логуш 0.1., Павлиш В.А. Стабілізація параметрів МОН-структур при гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком.........................................95 ФІЗИКА І ТЕХНІКА НАПІВПРОВІДНИКІВ, МЕТАЛІВ, ДІЕЛЕКТРИКІВ ТА РІДКИХ КРИСТАЛІВ Большакова І.А., Кость Я.Я., Макідо О.Ю., Шуригін Ф.М. Властивості мікрокристалів InAsSb, вирощених з газової фази, та дослідження впливу нейтронного опромінення на їх параметри……...............................................104 Буджак Я.С., Зуб О.В. Хімічний потенціал як важлива характеристика в аналізах кінетичних властивостей кристалів....................................................110 Мартинюк Н.В., Бурий О.А., Сиворотка 1.1., Бьоргер А., Беккер К.Д. Роль поверхні у процесі перезарядження Yb2+?Yb3+ у монокристалічних епітаксійних шарах Yb:Y3Al5O12…...................................................................114 Сиротюк С.В., Кинаш Ю.Є., Швед В.М. Електронна енергетична структура алмазу, кремнію та германію, отримана з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії..........................................122 Товстюк К.К. Класифікація подвійних перестановок як представлення фейнманових діаграм для електрон-фононної взаємодії...............................127 Убізський С.Б., ПавликЛ.П., Сиворотка 1.1. Характеристики ефективності магнітооптичної візуалізації просторових неоднорідностей магнітного поля методом індикаторної плівки............................................................................133 Юркевич О.В., Сольський І.М., Андрущак А.С. Просторовий розподіл електроіндукованих змін оптичного шляху в кристалах LiNbO3:Mn..........147 ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ ТА ТЕОРЕТИЧНІ ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ ПРОЦЕСІВ Жидачевський Я.А. Вплив концентрації іонів марганцю на люмінесцентні властивості кристалів YAlO3:Mn......................................................................153 Малик О.П. Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe(0.16?x?0.9)………158 Тиханський М.В., Партика А.І. Залежність режиму роботи джозефсонівських кріотронів від сили струму зміщення..............................................................164 Чигінь В., Горун П. Питомі втрати потужності газового розряду та ефективність збудження ексиплексних молекул суміші Ar-Kr-Xe-Cl2.........173 МЕТОДИКА ДОСЛІДЖЕНЬ Андрущак Н.А., Сиротинський 0.1. Інтерферометрична установка для визначення показника заломлення плоскопаралельних пластин в діапазонах мм-субм довжин хвиль. Апробація на прикладі оптичного скла і кристалів кварцу, сапфіру та евлітину...............................................................................179 Горбатий І.В. Метод та пристрій для здійснення амплітудної модуляції багатьох складових ............................................................................................185 Демкович І.В., Пещровська Г.А., Бобицький Я.В. Фототепловий метод визначення параметрів тонких плівок...............................................................191 Дідич І.Р., Зазуляк А.М., Кожухар О.Т., Скіра М.С. Оптоелектронний контроль фотоферезу..........................................................................................196 ПавликЛ.П., Убізський С.Б., Лозинський А.Б., Савицький Г.В. Аналіз реактивного кола збудження ферозонда з обертальним перемагнічуванням дискового осердя................................................................................................202 Татарин В.Я., Петровська Г.А. Оптимізація параметрів сканувального інтерферометра Фабрі-Перо з цифровою обробкою вихідного сигналу......211 Яремчук І.Я., Фітьо В.М. Модель інфрачервоних тонкоплівкових фільтрів на основі інтерференційного дзеркала..................................................................218