Розглянуто основні фізичні процеси і властивості напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторів і тиристорів. Значну увагу приділено математичному аналізу роботи напівпровідникових приладів і поясненню фізичних явищ. Детально проаналізовано фізику контактних явищ у напівпровідниках, контактах метал-напівпровідник, структурах металдіелектрик напівпровідник, статичні характеристики і динамічні параметри біполярних і польових транзисторів, а також зміну параметрів і властивостей напівпровідникових приладів залежно від режимів роботи. Для студентів, які навчаються за напрямом "Електроніка" і "Мікро та наноелектроніка", широкого загалу спеціалістів у галузі твердотільної електроніки і мікроелектроніки. ЗМІСТ ВСТУП ……………………7 Розділ 1. ФІЗИКА КОНТАКТНИХ ЯВИЩ У НАПІВПРОВІДНИКАХ 1.1. Носи заряду в рівноважних напівпровідниках …………………………………9 1.1.1. Концентрація носіїв заряду в напівпровідниках. Рівень Фермі ……………………………9 1.1.2. Ефективна маса носіїв заряду ………………………..14 1.1.3. Питома ел