Дмитрів A.M. Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості CdTe, HgTe та твердих розчинів на їх основі. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наук за спеціальністю 02.00.21 - хімія твердого тіла. - Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, Івано-Франківськ, 2006. Робота присвячена дослідженню природи точкових дефектів і механізмів їх утворення у кристалах CdTe, HgTe та твердих розчинах CdxHg1.xTe, Cd1.xZnxTe, Cd1-xMnxTe, Вперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння дефектної підсистеми нестехіометричних CdTe, HgTe n- і р- типу провідності, на основі яких розраховано зміну концентрації точкових дефектів і носіїв струму у межах області гомогенності. На основі закону діючих мас і квазіхімічних реакцій дефектоутворення одержано узагальнені рівняння для визначення залежності концентрації вільних носіїв заряду, домінуючих точкових дефектів і холлівської концентрації носіїв струму для кристалів HgTe<Hg> при двотемпературному відпалі у парі ртуті. Розраховано нові і уточнено відомі константи рівноваги та ентальпії утворення дефектів. Встановлено, що у твердих розчинах CdxHg1.xTe (0,1<х<0,3) переважають вакансії меркурію: V- Hg, V2-Hg, V?Hg, концентрацію яких у матеріалі можна регулювати відпалом у парі ртуті з можливою інверсією типу провідності. Вперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння переважаючих механізмів утворення твердих розчинів на основі кадмій телуриду п-типу в системі CdTe-ZnTe та р-типу у системі CdTe-MnTe. Показано, що концентрація електронів у твердих розчинах n-Cd1-xZnxTe (0,0<x<0,2) великою мірою визначається вакансіями телуру V2+Те, водночас вагомий вплив на дефектну підсистему має фонова домішка оксигену. Домінуючими акцепторами у p-Cd1-xMnxTe є однократно заряджені вакансії кадмію V-Cd, ефективність яких зростає із збільшенням надстехіометрії телуру у вихідній матриці і зменшується із ростом вмісту МnТе. Ключові слова: точкові дефекти, кадмій телурид, меркурій телурид, тверді розчини, кристалоквазіхімічні рівняння, антиструктура.