Електронний каталог науково-технічної бібліотеки ІФНТУНГ

537.22
В27          Величко, О. В.
    Дослідження польових ефектів у локально-ангармонічних та сегнетоелектричних системах з переходами лад-безлад [Текст] : автореф. дис. на здобуття наук. ступеня канд. фіз.-мат. наук : спец. 01.04.02 "Теоретична фізика" / Величко Олег Володимирович ; НАН України, Ін-т фізики конденсованих систем. – Львів, 2005. – 21 с. – 16-18.

   Величко О.В. Дослідження польових ефектів у локально-ангармонічних та сегнетоелектричних системах з переходами лад-безлад. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04-02 - теоретична фізика, Інститут фізики конденсованих систем Національної академії наук України, Львів, 2005. Метою даної дисертації є розробка мікроскопічної теорії польових ефектів у системах з переходами типу лад-безлад, де структурні елементи можуть перебувати у декількох станах. Шляхом модифікації моделей де Жена і Міцуї та розрахунків в рамках узагальненої схеми методу когерентного потенціалу встановлено, що у локально-ангармонічних системах вплив вакансійних полів веде до появи нових фаз і фазових переходів з можливим виникненням бістабільності або фазового розшарування (апексні кисні у YВа2Сu3O7-х), а в спектрі колективних збуджень з'являються додаткові підзони. Для систем з співіснуванням впорядкувань сегнето- та антисегнетоелектричного типу вздовж різних осей запропоновано мікроскопічні багатостанові моделі з базисним врахуванням локальних кореляцій у формалізмі операторів Хаббарда і розвинено теорію термодинамічних та діелектричних властивостей кристалів DMAAlS-DMAGaS, GPI і RS. Це дозволило описати вплив кристалічного поля типу одноіонної анізотропії (енергетичної нееквівалентності орієнтаційних станів) на послідовність і рід фазових переходів та їх зміну під тиском у сегнетоелектриках DMAAlS-DMAGaS. Показано, що дія поперечного електричного поля на системи зі складною орієнтацією ефективних диполів (кристали GPI і RS) веде до придушення спонтанної поляризації, стрибків поперечної діелектричної сприйнятливості у точках фазових переходів та зміни їх температур. Ключові слова: мікроскопічні моделі, фазові переходи лад-безлад, сегнетоелектрики, вакансії, випадкові поля, поперечні поля


УДК 537.22(043)

            



Примірники
Місце збереження Кількість В наявностi
ЧЗНП - Зал. наук. та період. вид 1 1


Теми документа


Статистика використання: Видач: 0 Завантажень: 0





Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'