Віктор Кульчинський. Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах, детекторах оптичного та у-випромінювання на основі CdxHg1-xTe (x> 0.6)- Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків. - Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2007. У дисертації представлено результати дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні та фотоелектричні характеристики сонячних елементів, детекторів оптичного та у-випромінювання на основі CdxHg1-xTe (x>0.6). Досліджено механізми переносу заряду у вищезазначених діодних стурктурах. Доведено, що вольт-амперні характеристики даних структур добре узгоджуються з теорією генерації-рекомбінації Саа-Нойса-Шоклі з урахуванням особливостей процесів у діоді Шотткі. Розходження експериментальної та теоретичної кривих при зворотних напругах зумовлене внеском ефектів у сильному полі бар'єрної області, зокрема ударною іонізацією носіїв заряду. Доведено, що досліджуваний матеріал з відповідним вмістом компонент (Cd0.64Hg0,36Те та Cd0,71Hg0,29Te) придатний для виготовлення на його основі детекторів оптичного випромінювання з довжиною хвилі 1.55 та 1.3 мкм відповідно (так звані "вікна прозорості" кварцового волокна). Сформульовано вимоги до досліджуваного матеріалу для його ефективного використання як сонячного елемента, математично описана форма спектральних кривих досліджуваних поверхнево-бар'єрних діодів. Показано переваги використання досліджуваного матеріалу для виготовлення детекторів у-випромінювання (особливо для детектування високоенергетичних квантів з енергією ~1 МеВ) у порівнянні з такими приладами на основі CdTe. Ключові слова: CdxHg1-xTe (х>0.6) діод Шотткі, фотодіоди, сонячні елементи, механізм переносу заряду, генерація, рекомбінація, концентрація некомпенсованих домішок, час життя носіїв, фотоелектрична квантова ефективність, детектори ?-випромінювання, ефективність детектування.