Бізюков І.О. "Розпилення та модифікація поверхні плівок вольфраму при опроміненні пучками дейтерію та вуглецю", - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук зі спеціальності 01.04.20. - фізика пучків заряджених частинок. - Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України, Харків, 2007. Спільне застосування вольфраму й вуглецю як матеріалів першої стінки, що контактують із плазмою в термоядерному реакторі, спричиняє бомбардування вольфрамової поверхні одночасно іонами палива й вуглецю середніх енергій. У дисертаційній роботі досліджені процеси розпилення й елементної модифікації поверхні в результаті бомбардування вольфраму пучками іонів вуглецю, вуглецю й гелію, вуглецю й дейтерію. Як основний метод дослідження поверхні використовувався іонно-променевий аналіз, а також різні види мікроскопії поверхні. Для чисельного моделювання використовувався код TRIDYN. Досліджено вплив мікронерівностей на динаміку розпилення поверхні й імплантації вуглецю іонними пучками. Запропоновано наближення, яке дозволяє використати чисельну модель для опису елементної модифікації "шорсткуватої" поверхні. Теоретично й експериментально досліджений перехід від розпилення поверхні до зростання захисної вуглецевої плівки в міру того, як відбувається збільшення концентрації іонів вуглецю в потоці, що налітає. Показано, що процеси взаємодії пучків іонів з поверхнею визначаються в основному кінетичними процесами. Впливом хімічних процесів на процеси розпилення й імплантації у такій системі можна знехтувати. Ключові слова: іонні пучки, спільне бомбардування, дейтерій, імплантація іонів вуглецю, розпилення вольфраму, елементна модифікація поверхні, імплантаційно-розпилювальні криві.