Глухов К.С. Електронні стани надграток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. Ужгородський національний університет, Ужгород, 2007. Дисертаційна робота присвячена дослідженню енергетичних станів електронної підсистеми напівпровідникових надграток. Вивчено симетрійно-топологічні особливості будови валентної зони кубічних напівпровідників типів AIV та A"'BV, а також надграток на їх основі. Шляхом порівняння з результатами одержаними в ab initio підході, встановлено можливість застосування концепції мінімальних комплексів зон для визначення головних особливостей просторового розподілу густини валентного заряду у цих матеріалах. Також у роботі одержано вигляд граничних умов, що накладаються на обвідні функції та їх похідні на гетеропереходах надграток з кусково-гладкою просторовою залежністю матеріальних параметрів. Проведено моделювання залежності величини енергетичних проміжків між нижніми мінізонами ряду короткоперіодних надграток (GaAs)N/(AlAs)M від параметрів одержаних граничних умов, а також від сили Г-Х змішування у цих гетероструктурах. Одержано загальний вигляд матриці перенесення для надґратки з довільним профілем потенціалу та проведено розрахунок енергетичних станів у відповідній моделі. При першопринципних дослідженнях структурної релаксації ряду симетричних надграток (GaAs)N/(AlAs)N, визначено параметри неоднорідного поля зміщень в околі гетерограниць. Встановлено вигляд додаткових членів ефективного гаміль-тоніана, які виникають при врахуванні індукованого всебічним тиском поля деформацій, а також знайдені відповідні граничні умови. Ключові слова: надгратка, GaAs, AlAs, Si, концепція мінімальних комплексів зон, ah initio розрахунки, обвідна функція, енергетичні стани.