Зуєв С.О. Особливості роботи арсенід-галієвих ПТШ у напружених режимах.-Руукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.01-твердотільна електроніка. - Харківський національний університет радіоелектроніки, Харків, 2007. Дисертаційна робота присвячена чисельному дослідженню особливостей характеристик GaAs ПТШ в області входження в перенапружений режим, включаючи пробій. Створено й реалізовано нову чисельно-аналітичну модель GaAs ПТШ, що забезпечує можливість аналізу функціонування в напружених режимах. Модель базується на розв'язанні кінетичної та теплової задач із урахуванням специфіки розігріву й механізмів розсіювання носіїв у каналі, с сукупністю системи рівнянь Больцмана й Пуассона, доповненою нестаціонарним рівнянням теплопровідності та моделями контактів метал-иапівпровідник. Система вирішується методом макрочастинок. Показано адекватність моделі. Проведено чисельні дослідження впливу різних режимних і конструктивних параметрів ПТШ на його характеристики в номінальному й напруженому режимах роботи ПТШ аж до його теплового пробою. Ключові слова: польовий транзистор із затвором Шоткі, процеси розсіювання, метод великих частинок, лавинний пробій, тепловий пробій.