У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика вісника Національного університету "Львівська політехніка" "Електроніка" охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень; У Віснику "Електроніка" публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. ЗМІСТ МАТЕРІАЛИ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ Большакова І. А., Кость Я.Я., Макідо О.Ю., Шуригін Ф.М. Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs)1.xSbx з газової фази 3 Булатова А.К, Трутнев Н.С., Булатов М.Ф. Технология получения наноразмерных феррогранатов состава (YCa)3Fe5O12 8 Готра З.Ю., Тейт Дж., Кікінеші P., Дутчак З.А., Закутаєв А.А., Ракобовчук Л.М., Яворсъкий Б.М. Структура та оптичні властивості прозорих електропровідних плівок на основі BaCuTeF 13 Заремба О.І., Гладишевський Р.Є. Вплив часткових заміщень компонентів на кристалічну структуру сполук серії M2Cu2O3-CuO2 17 Ковалюк Б.П., Нікіфоров Ю.М. Дослідження початкової стадії накопичення дефектів у кремнієвих структурах з p-n переходом під дією лазерних ударних хвиль 25 Курило І.В., Рибак О.В. Морфологія і структурна досконалість кристалів РbІ2 в зв'язку з умовами їх росту 30 Савчук В. Вплив технологічних параметрів осадження на кристалічну структуру тонких плівок CdTe, вирощених методом імпульсного лазерного напилення 37 Юр'єв C.O., Юрчишин П.І., Ющук С.І. Особливості вирощування епітаксійних плівок ферит-гранатів з субмікронними ЦМД 42 Paszkowicz W., Pietosa J. On the orthorhombic distortion of CaMn03-5 48 ФІЗИКА, ТЕХНОЛОГІЯ ТА ВИРОБНИЦТВО ЕЛЕМЕНТІВ, ПРИЛАДІВ ТА СИСТЕМ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ Большакова І А., Голяка Р.Л., Єрашок В.Є., Марусенков А.В., Мороз А.П. Нові підходи та апаратура для REAL-TIME дослідження сенсорів магнітного поля в жорстких радіаційних умовах 53 Бурий О.А. Термомеханічні напруження в мікрочіповому Nd3+:YAG-лазері з пасивним модулятором добротності на основі плівки Cr4 :YAG 62 Григорчак І.І., Каліцінський В.З., Ріпецький Є.Й., Міцов М.М. Ефекти блокування лімітуючої негельмгольцевої ємності в нанопористих і нанокомпозитних структурах та їх застосування для створення зміннострумових суперконденсаторів 72 Мрихін І.О., Заячук Д.М., Круковський С.І., Іжнін О.І, МихащукЮ.С, Григорчак І.І. Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним p-n-переходом 80 Шуригін Ф.М., Макідо О.Ю., Кость Я.Я. Моделювання процесів масоперенесення твердих компонентів через газову фазу в системі InAs-Sn-HCl 88 Яремчук І.Я. Технологічні аспекти синтезу багатошарових тонкоплівкових структур 94 ФІЗИКА 1 ТЕХНІКА НАПІВПРОВІДНИКІВ, МЕТАЛІВ, ДІЕЛЕКТРИКІВ ТА РІДКИХ КРИСТАЛІВ Довгий Я.О., Кость Я.П., Маньковська І.Г., Сольський І.М. Гіротропія і параметри циркулярних екситонів у кристалах ?-ТеO2 99 Дружинін А. О., Островський І. П., Когут Ю.Р. Магнітна сприйнятливість та намагніченість ниткоподібних кристалів Si-Ge 105 Клим Г.І, Ваків М.М. Модель багатоканальної позитронної анігіляції в діелектричній кераміці MgAl204 110 Курило I.B., Рудий І.О., Лопатинський І.Є., Фружинський М.С., Вірт І.С., Шкумбатюк Т.П. Структура та електричні властивості тонких плівок Ві2,Те3, Sb2Te3 та надструктур Bi2Te3/Sb2Te3, отриманих імпульсним лазерним осадженням 115 Мартинюк Н.В., Фагундес-Петерс Д., Петерман К., Убізський С.Б., Бурий О.А. Моделювання процесів передачі енергії збудження іонів Yb3+ до іонів домішок в лазерному кристалі 122 Микитюк З.М., Фечан А.В., Ясиновська О.Й. Вплив параметрів холестеричних рідких кристалів на смугу селективного відбивання світла в РЗЗ-лазерах 128 ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ ТА ТЕОРЕТИЧНІ ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ ПРОЦЕСІВ Сиротюк С.В., Краєвський С.Н., Кинаш Ю.Є. Електронна енергетична структура кристала InN, розрахована на функціях Блоха і плоских хвилях 134 Товстюк К.К., Кузик Н.І. Вплив акустичних фононів на електронний газ усильно анізотропних та ізотропних кристалах 138 Тиханський М.В., Портика А.І. Оптимізація режиму роботи джозефсонівських кріотронів 143 МЕТОДИКА ДОСЛІДЖЕНЬ Андрущак А.С., Мицик Б.Г., Дем'янишин Н.М., Кайдан М.В., Юркевич О.В. Заповнення матриць лінійного електрооптичного ефекту в кристалах довільного класу симетрії. Апробація методу на прикладі ніобіту літію 148 Вороняк Т.І., Юркевич О.В., Андрущак А.С. Технологія контролю геометрії оптичних поверхонь зразків із кристалічних матеріалів 157 Дем'янчук Б. О. Метод оцінки рівня відбиття електромагнітних хвиль від багатошарового покриття на металевій підложці 164 Мокрий О.М. Частотна залежність чутливості інтерферометра Майкельсона при реєстрації поверхневих акустичних хвиль 168 Павлик Л.П., Убізський С.Б. Вплив симетрії магнітної анізотропії активного середовища на можливість векторного вимірювання магнітного поля феромодуляційним перетворювачем 173