Цибуляк Б.З. Вплив зовнішніх факторів на електрофізичні властивості приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. - Львівський національний університет імені Івана Франка. -Львів, 2006. Дисертація присвячена вивченню процесів перебудови дефектної структури приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS. Вперше виявлено явище емісії електронів з базисних граней кристалів CdS без попереднього збудження поверхні при їх охолодженні від кімнатної температури до температури рідкого азоту. Доведено кореляцію цього явища з ефектом аномальної температурної залежності поверхневої провідності. Інтенсивність потоку електронної емісії з Cd-грані сульфіду кадмію залежить від провідності монокристалів та дії таких зовнішніх факторів, як попередній вакуумний термічний відпал, електричне поле, рентгенівське опромінення. Запропоновано механізм перебудови структурних дефектів приповерхневого шару грані (0001) CdS при охолодженні. Суть його полягає у термостимульованій (охолодженням) зміні конфігурації принаймні двох структурних дефектів із метастабільних у стабільні положення з вивільненням певної кількості додаткових вільних електронів, які під дією пірополя емітують у вакуум. Встановлено граничні дози опромінення, які дозволяють покращити та стабілізувати параметри приладів на базі бар'єрів Шотткі метал-CdS: 0,2 Кл/кг для низько- та 0,4 Кл/кг для високоомних кристалів. Ключові слова: CdS, поверхнево-бар'єрні структури, емісія електронів, радіація, дефект.