Чернюк О.С. "Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами HNO3-HHaI-органічна кислота". - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наук за спеціальністю 02.00.01 - неорганічна хімія. - Львівський національний університет ім. Івана Франка. Дисертація присвячена експериментальному дослідженню процесів хімічного розчинення GaAs та GaSb в водних галогенвиділяючих розчинах HNO3-HCl(HBr)-органічна кислота та розробці на основі отриманих результатів травильних композицій і методик обробки поверхні галій арсеніду та галій стибіду. Використовуючи математичне планування експерименту побудовано 21 проекція поверхонь однакових швидкостей травлення для розчинення GaAs та GaSb в розчинах дванадцяти систем водних розчинів НNО3-НС1(НВг)-органічна кислота, Встановлено вплив органічних розчинників (ацетатна, лактатна, цитратна, оксалатна та тартратна кислоти) на процес хімічного травлення і поліруючі властивості розчинів. Визначено, що для GaSb найкращі поліровані поверхні отримуються при використанні травильних композицій HNO3-HCl-лактатна кислота, а для GaAs-НNO3-НВr-цитратна кислота. Для хімічної обробки GaAs вперше запропоновано використовувати бромвиділяючі травильні композиції на основі водних розчинів HNO3-HBr, у яких бром виділяється в результаті взаємодії вихідних компонентів, а його вміст може до певної міри регулюватись введенням різноманітних органічних розчинників. На основі аналізу температурних залежностей швидкості розчинення в досліджуваних травильних композиціях встановлено існування компенсаційної залежності в кінетиці хімічного травлення GaSb та GaAs в водних розчинах HNO3-НСl(НВг)-розчинник. Розроблено серію хлор- та бромвиділяючих травильних композицій для різних технологічних обробок GaSb та GaAs і оптимізовано склади травників та технологічні режими проведення операцій хімічної модифікації поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів. Ключові слова: швидкість розчинення, хімічне полірування, бромвиділяючі травильні композиції, галій арсенід, галій стибід.