Стерлігов В.А. Процеси розсіяння світла нано- та мікроскопічними об'єктами в напівпровідниках та діелектриках. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.05 - оптика, лазерна фізика. - Інститут фізики НАН України, Київ, 2005. Дисертація присвячена дослідженню процесів розсіяння світла нанорозмірними об'єктами та структурами на поверхні напівпровідникових кристалів і діелектричних плівок, значно меншими за довжину хвилі оптичного випромінювання. Встановлено, що розсіяння поверхневих хвиль наночастинками характеризується просторовим розподілом інтенсивності розсіяного світла, котрий істотно залежить від функції розподілу наночастинок за розмірами. Розроблено метод порівняння результатів розсіяння поверхневих і однорідних хвиль. Цей метод застосовано для металевих наночастинок та одновимірних дефектів поверхні. Встановлено, що при розсіянні світла наномембранами відбувається когерентна інтерференція від джерел розсіяння, розподілених по товщині плівки. Експериментально продемонстровано субатомну чутливість розсіяння світла до рельєфу поверхні. Запропоновано метод дискримінації розсіяння світла рельєфом поверхні та нетопографічними дефектами на ній. Продемонстровано значний внесок нетопографічного розсіяння в процеси розсіяння світла поверхнею пластин кремнію та арсеніду галію. Показано, що кутова залежність інтегральної інтенсивності розсіяння поверхневих хвиль є індикатором плазмон-поляритонного резонансу в значно ширшому інтервалі зміни оптичних параметрів прилеглого середовища, ніж це забезпечує традиційно використовуваний мінімум коефіцієнта дзеркального відбиття. Розроблено експериментальні методики послідовного та паралельного вимірювання у межах півсфери просторового розподілу розсіяного світла. Ключові слова: Si, GaAs, пружне розсіяння світла, розсіяння поверхневих хвиль, структура поверхні, наночастинки, наноструктура, фототравлення.