Тімохов Д.Ф. Структурні і люмінесцентні властивості поруватого кремнію, отриманого методом анодного електрохімічного травлення. -Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. - Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова, Одеса, 2006. Виявлено ефект впливу кристалографічної орієнтації кремнію на квантовий вихід фотолюмінесценції поруватого кремнію (ПК) в процесі анодизації. Запропоновано модель, що пояснює відмінність залежностей розмірів нанокластерів від умов травлення для зразків ПК із різною кристалографічною орієнтацією вихідної підкладки. Розроблено напів'якісну теоретичну модель фоточутливості гетеропереходу nK-(c-Si) на основі низькорозмірного ПК. Фотоелектричним методом визначено ширину забороненої зони, дифузійну довжину неосновних носіїв заряду і показана можливість визначення середнього діаметру квантових ниток. Вивчено механізм струмоперенесення і фоточутливість сендвіч-структур Al/IlK-(c-Si)/Al. Можлива зміна механізму струмоперенесення із тунельного струму в термоактиваційний. Інверсія знаку фото-ЭРС пояснено варізонністю ПК і наявністю гетеромежі IlK-(c-Si). Виявлено явище лавинного помноження носіїв заряду в ПК. Встановлено, що механізм ударної іонізації дифузійний і визначено її параметри. Встановлено механізм електролюмінесценції в структурах nK-v-(c-Si). Досліджено основні характеристики електролюмінесценції, а також вплив рівня інжекції носіїв заряду на її квантовий вихід. Ключові слова: поруватий кремній, квантова нитка, гетероперехід, електролюмінесценція, лавинне помноження, квантовий вихід.