Рябцев А.В. Кінетичні процеси в джерелі негативних іонів водню з відбитковим розрядом. - Рукопис. Дисертація на здобуття вченого ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.04 - фізична електроніка. - Інститут фізики НАН України, Київ, 2005 р. Дисертацію присвячено комплексному дослідженню джерела негативних іонів водню з відбитковим розрядом. Вперше побудовано теорію, яка найповніше враховує всі суттєві фізичні процеси, що відбуваються в такому джерелі. За допомогою цієї теорії було вивчено вплив питомої потужності, що вводиться в розряд, і тиску в джерелі на його основні характеристики. Пояснено відмінності у швидкості зростання концентрації негативних іонів водню для різних розрядних струмів. Грунтуючись на розгляді часових залежностей концентрацій плазмових компонент, зроблено висновок про можливість збільшення концентрації негативних іонів при роботі джерела в імпульсно-періодичному режимі. Вперше отримано розподіл компонент у проміжку між розрядною колоною і анодом. Цей розподіл для негативних іонів має суттєво немонотонний характер, що призводить до існування оптимального співвідношення між радіусами розрядної колони і аноду. Досліджено вплив цезію на процеси в джерелі негативних іонів водню. Як з результатів експерименту, так і з розрахунків випливає, що при додаванні у розряд цезію основна частина негативних іонів утворюється не в об'ємі джерела, а на його поверхні. При цьому струм негативних іонів водню, який витягується з джерела, збільшується в 2ч-3 рази. Ключові слова: негативні іони водню, відбитковий розряд, кінетичні процеси в плазмі.