Порошин В.М. "Оптичні властивості електронного газу в напівпровідниках зі складною структурою зон ". - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового спупеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Інститут фізики Національної Академії наук України, Київ, 2006. В дисертації наведені результати експериментальних досліджень ефектів зонної структури в процессах розсіяння, нелінійної рефракції і поглинання світла, пов'язаних із вільними носіями заряду в напівпровідниках з виродженим і багатодолинним спектром. Для напівпровідників з виродженою валентною зоною вперше виявлений новий, передбачений раніше теоретично, механізм неекранованого одночастинкового розсіяння світла дірками та незвична (некоренева) залежність плазмової частоти дірок від їх концентрації і асиметричність лінії плазмового розсіяння світла, природа яких пояснена вкладом в діелектричну проникність кристалу переходів між підзонами легких і важких дірок. Виявлено ряд нових ефектів в розсіюванні світла при пружній одноосній деформації напівпровідників: комбінаційне розсіяння 14 світла, що пов'язане з переходами дірок між розщепленими деформацією екстремумами валентних підзон, збільшення плазмової частоти й зменшення асиметрії плазмової лінії. Вперше вивчено вплив виродження і багатодолинності енергетичного спектру на процеси поглинання та заломлення світла в умовах сильного розігріву носіїв у полі світлової хвилі. Виявлені нелінійність поглинання світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах в напівпровідниках з виродженою валентною зоною, нелінійні оптичні явища в багатодолинних напівпровідниках (анізотропія і нелінійність поглинання інтенсивного 14 випромінювання СO2-лазера, наведені світлом явища подвійного променезаломлення та чотирихвильової взаємодії), які пояснені перерозподілом "гарячих" електронів між еквівалентними долинами. Для довжини хвилі світла ?= 10,6 мкм та температур 300 К і 80 К визначена константа нелінійності третього порядку. Розраховані для n-Ge залежності константи нелінійності від концентрації вільних електронів, температури кристалу, довжини хвилі 14 світла. Ключові слова: напівпровідники з виродженою валентною зоною, багатодолинні напівпровідники, вільні носії заряду, розсіяння й поглинання світла, оптична нелінійність, розігрів носіїв, міждолинний перерозподіл електронів.