П24 |
Пеліхатий, М. М. Модифікація шаруватих структур при проходженні іонізуючого випромінювання [Текст] : автореф. дис. на здобуття наук. ступеня канд. фіз.-мат. наук : спец. 01.04.16 "Фізика ядра, елементарних частинок і високих енергій" / Пеліхатий Микола Михайлович ; Харків. нац. ун-т ім. В, Н. Каразіна. – Х., 2006. – 36 с. – 30-32.
Пеліхатий М.М. Модифікація шаруватих структур при проходженні іонізуючого випромінювання. - Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.16 - фізика ядра, елементарних частинок і високих енергій. - ХНУ ім. В.Н. Каразіна, Харків, Україна, 2006.
Дисертацію присвячено комплексному дослідженню фізико-електричних явищ при проходженні нейтронів, ?-квантів та важких іонів крізь шаруваті структури. Розвинуто теоретичну модель взаємодії прискорених іонів з шаруватою структурою. Отримано співвідношення залежності концентрації o атомів віддачі від глибини. Встановлено залежність розвитку каскаду зміщень від атомного номера матеріалу плівки і підкладки.
Досліджено і проаналізовано процеси утворення розупорядкованих областей, які мають провідність, що відрізняється від провідності матричного матеріалу. Встановлено вплив розупорядкованих областей, які утворюються при проходженні нейтронів та ?-квантів, на деформацію електричного сигналу, який розповсюджується в матеріалі. Виявлено перерозподіл енергії між гармонічними складовими сигналу в результаті впливу іонізуючого випромінювання.
Досліджено процес вибухової кристалізації в германії при впливі ?-випромішовання. Виявлено утворення електронно-позитронних пар. При дослідженні іонно-легованих шарів в кремнії виявлено іонне "розпухання" кремнію.
Встановлено закономірності формування профілів розподілу атомів тугоплавких металів при бомбардуванні шаруватих структур іонами Аг+.
Визначено механізми формування перехідного шару на діелектричних підкладках при взаємодії поверхні з металевою плазмою. Це дозволяє формувати металічне покриття з високою адгезією, та металокерамічні з'єднання в елементах твердотільної електроніки.
Розроблено методи підвищення радіаційної стійкості апаратури інтегральних схем.
Ключові слова: іонізуюче випромінювання, атоми віддачі, резерфордівське розсіювання, потенціал взаємодії, шаруваті структури, каскад зміщень, утворення розупорядкованих областей, деформація електричного сигналу, радіаційна стійкість.
|