Мрихін І.О. Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки, - Національний університет "Львівська політехніка", Міністерство освіти і науки України, Львів, 2006. Досліджено закономірності комплексного впливу ізовалентних, рідкісноземельних елементів та електрично активних легуючих домішок на електрофізичні властивості епітаксійних шарів на основі GaAs втехнології низькотемпературної РФЕ та вивчено можливості його застосування при нарощуванні гетероструктур GaAs / AlGaAs для інжекційних напівпровідникових лазерів. Встановлено оптимальні технологічні режими отримання сильно- (1·1018см-3) та слаболегованих (1·1017см-3) шарів AlxGa1-xAs діркового типу провідності з використанням гетеруючої дії домішки рідкоземельного елемента Yb. Здійснено моделювання процесу нарощування тонкого (0,2 - 0,5мкм) епітаксійного шару Alo.iGao.gAs, який використовується в якості активної області лазерної структури, та визначено коефіцієнт дифузії As в розплаві Ga при низьких температурах росту. Виготовлено модельну подвійну лазерну гетероструктуру p-Al0,28Ga0,72As:Ge/p-Al0,1Ga0,9As:Mg/n-A10,28Ga0,72As та отримано на ній лазерну генерацію при густині порогового струму 4 кА/см2. Ключові слова: рідиннофазна епітаксія, ізовалентне легування, рідкоземельні елементи, подвійна гетероструктура, інжекційний лазер.