Носенко В.К. Формування аморфних та наноструктурних станів в сплавах на основі Fe і Аl. Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.13 - фізика металів. - Інститут металофізики ім.Г.В.Курдюмова НАН України, Київ, 2005. В дисертаційній роботі встановлено взаємозв'язок між умовами одержання, хімічним складом, структурно-фазовим станом і фізичними властивостями легованих швидкозагартованих сплавів базових систем Fe-Si-B (Fe-Si-B-Cu-Nb) та Аl-ПМ-РЗМ як у вихідному аморфному стані, так і після термообробки з утворенням нанофазних композитів. Термічна передісторія визначає відмінності в атомній будові аморфних сплавів, які впливають на їх термічну стійкість, рівень та відтворність властивостей. Фактор конкуренції фаз сприяє аморфізуючій здатності Аl-ПМ-РЗМ-сплавів, а характер сил міжатомної взаємодії в аморфних сплавах цього типу визначає пропорційність між рівнем їх мікротвердості і термічної стійкості. Кінетика формування наноструктурних станів визначається, в основному, фактором росту нанокристалів, а не їх утворенням; запропоновано модель, яка в порівнянні з класичною моделлю Колмогорова-Джонсона-Мела-Аврамі більш адекватно описує кінетику переходу з аморфного в нанокристалічний стан. При критичних температурах в склоутворюючих розплавах відбуваються структурні переходи; високотемпературний структурний стан успадковується при аморфізації і впливає на рівень властивостей аморфних сплавів. Встановлено існування порогових доз електронного та у-опромінення, нижче яких відбувається структурна релаксація із зменшенням вільного об'єму і, навпаки, розупорядкування аморфної структури при дозах, більших за порогові; для аморфно-кристалічних сплавів електронне та у-опромінення стимулюють подальший перебіг кристалізаційних процесів. Ключові слова: спінінгування розплаву, аморфні металеві сплави, термічна передісторія, вморожені центри, нанофазні композити, кінетика нанокристалізації, структурна релаксація, зародження і ріст кристалів, магнітні і механічні властивості.