Марколенко П.Ю. Перемикання в тиристорних структурах при високому рівні інжекції і дії зовнішніх чинників (світло, магнітне поле, радіація).-Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.01 - твердотільна електроніка. - Одеський національний політехнічний університет, Одеса, 2006. Дисертація присвячена вивченню процесів переключення напівпровідникових р-n-р-n структур та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації. Захищається наукова праця, в якій розглядаються фізичні і математичні моделі р-n-р-n структур. Досліджений динамічний процес вмикання р-п-р-п структури з урахуванням значення базового струму, який приводить до переключення структури у відкритий стан. Надана загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних р-n-р-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Вирішується двомірне рівняння Пуассона з метою визначення зв'язку між потенціалом на електроді та шириною струмопровідного каналу, який з'єднує один з емітерів р-n-р-n структури з базою другого емітера. Розглянутий засіб переключення фототиристора зовнішнім випромінюванням і розрахована величина мінімального імпульсу світла, достатнього для переключення. Досліджена дія радіації на параметри переключення р-n-р-n структур. Описана схема випрямляча змінного струму на основі тиристора, який керується зовнішнім магнітним полем. Ключові слова: р-п перехід, р-n-р-n структура, пороговий струм, коефіцієнт передачі струму, зворотний зв'язок по струму, напруга переключення, транзистор, тиристор область об'ємного заряду.