Електронний каталог науково-технічної бібліотеки ІФНТУНГ

538.9
М14          Майданчук, І. Ю.
    Кінетика формування нанокомпозитивних плівок Si-SiOx та їх світловипромінюючі характеристики [Текст] : автореф. дис. на здобуття наук, ступеня канд. фіз.-мат. наук : спец. 01.04.07"Фізика твердого тіла" / Майданчук Іван Юрійович ; НАН України, Ін-т фіз. напівпровідників ім. В. Є.Лашкарьова. – К., 2006. – 19 с. – 15-16.

   Майданчук І.Ю. Кінетика формування нанокомпозитних плівок Si-SiOx та їх світловипромінюючі характеристики. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-матсматичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є, Лашкарьова НАН України, Київ, 2006. Дисертація присвячена вивченню процесів термостимульованого розділення фаз в плівках SiOx, що приводять до формування наночастинок кремнію в оксидній матриці, а також дослідженню можливостей впливу на ФЛ характеристики структур Si-SiOx. Проведені дослідження зміни структури та складу SiOx шарів в процесі термічного відпалу в інтервалі часів від 1 с до 30 хв, при температурах від 300 до 1000°С. Вперше отримана кінетика термостимульованого розділення фаз субоксидів кремнію та формування наночастинок кремнію в оксидній матриці. Показано, що саме рухливість кисню лежить в основі фазово-структурних перетворень в процесі термостимульованого розкладу шарів SiOx. Розроблена технологія формування поруватих світловипромінюючих структур nc-Si-SiOx, що полягає в осадженні моноксиду кремнію на підкладинки, розміщені під кутом до напрямку потоку випаруваної речовини, та подальшого їх відпалу. Показана можливість контролювати склад та структуру осадженої SiOx плівки, а також спектральний склад фотолюмінісценції nc Si за рахунок зміни кута осадження. Вивчався вплив хімічної (насиченими парами ацетону та аміаку) та ВЧ плазмової обробки шарів SiOx на формування nc-Si та їх ФЛ властивості. Хімічна обробка поруватих шарів SiOx до відпалу приводить до появи короткохвильової' смуги ФЛ поблизу 600 нм. Зміни спектру ФЛ пов'язуються з модифікацією межі поділу nc-Si-SiOx за рахунок заміни атомів кисню на азот або вуглець в процесі хімічної обробки та подальшого відпалу. Показана можливість керувати положенням та інтенсивністю смуги ФЛ -в широкій області спектра від 560 до 950 нм використовуючи методи осадження піт кутом, плазмової та хімічної обробки. Ключові слова: нанокристалічний кремній, оксид, ВЧ плазмова обробка, хімічна обробка, фотолюмінесценція.


УДК 538.9(043)

            



Примірники
Місце збереження Кількість В наявностi
ЧЗНП - Зал. наук. та період. вид 1 1


Теми документа


Статистика використання: Видач: 0 Завантажень: 0





Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'