Мельник О.Я. Електронні релаксації радіаційних дефектів приповерхневого шару кристалів цезій галоїдів та екзоемісія електронів. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.18 - фізика і хімія поверхні. - Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, Івано-Франківськ, 2005. Дисертацію присвячено дослідженню взаємозв'язку явища екзоемісії електронів та електронних релаксацій радіаційних дефектів. Проведені теоретичні дослідження термостимульованої екзоемісії, зумовленої процесами рекомбінаційного відпалу комплементарних центрів забарвлення радіаційно опромінених кристалів CsBr та CsI. У рамках побудованої Оже-подібної рекомбінаційної моделі явища розраховані концентрації екзоемісійно-активних центрів і показано тотожність цих центрів та електронних F-центрів забарвлення. Розраховано ряд кінетичних параметрів процесів у піках спектрів термостимульованої екзоемісії електронів (енергію активації, частотний фактор, ефективний перетин рекомбінацій), а отримані їх значення підтверджують рекомбінаційну природу явища екзоемісії. В одноелектронному наближенні механізму рекомбінацій дефектів для CsBr та CsI розраховані енергетичні спектри народжених екзоелектронів. Отримано характеристики цих спектрів, а також величину ймовірності подолання поверхневого енергетичного бар'єра екзоелектронами. Проведено модельні оцінки глибини виходу екзоелектронів, народжених у результаті екзо-реакцій, з врахуванням енергетичних втрат при розсіянні на фононах та дефектах. Зроблені оцінки товщини екзоемісійно-активного приповерхневого скін-шару кристалу CsBr. Результат свідчить про ефективність екзоемісійного методу для дефектоскопії поверхні та тонких приповерхневих шарів. Розглянуто загасання струму ізотермічної екзоемісії, зумовленої тунельними та термоактивованими рекомбінаціями, при кімнатній температурі. Шляхом формального аналізу експериментальних кривих загасання підтверджений другий порядок кінетики явища. Встановлено, що термоактивовані ре- комбінації комплементарних пар центрів забарвлення відіграють визначальну роль у формуванні струму ізотермічної екзоемісії. Розрахована екзоемісійна чутливість кристалу CsBr до ультрафіолетового випромінювання підтвердила перспективність його застосування у скін-дозиметрії. Ключові слова: електронні властивості приповерхневих шарів, поверхневі дефекти та їх рекомбінації, екзоелектронна емісія, теоретичний та мoдельний опис.