Галущак М.О. Механізми дефектоутворення та модифікація властивостей напівпровідникових плівок сполук A IVBVI. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Сумський державний університет, Суми, 2004. Вперше для пояснення впливу технологічних факторів на електрофізичні властивості плівок халькогенідів свинцю РbХ (X = S, Se, Те), вирощених з парової фази методом гарячої стінки, запропонована загальна модель розупорядкування металічної підгратки за механізмом Френкеля з одночасним утворенням різних зарядових станів точкових дефектів - від електронейтральних до двократно заряджених вакансій і міжвузловинних атомів. Показано, шо для кількісного узгодження з дослідом необхідно також враховувати внутрішні напруження в плівці і тип підкладок. Проведено дослідження утворення металічної фази при синтезі плівок у методі гарячої стінки і подано квазіхімічне пояснення механізму цього явища. Розглянуто неоднорідності електричних параметрів за товщиною (їх профілі) у тонких плівках халькогенідів свинцю при їх вирощуванні з парової фази, які пов'язані з процесами фракціювання наважки, а також при відпалі у вакуумі і атмосфері кисню. При цьому мають місце процеси амбіполярної дифузії вакансій халькогену і електронів, а також кисню по міжзеренних границях. Експериментальні результати теоретично обгрунтувані. Виконано аналіз експериментальних даних і результатів квазіхімічних та термодинамічних розрахунків залежності концентрації носіїв струму (n) і атомних дефектів у плівках від температури осадження (ТS), температури додаткового джерела із свинцем (ТРb), вмісту талію (N?) для PbTe<Pb>:Tl, PbSe<Pb>:TI, а також температур додаткових джерел телуру (ТТе) і індію (ТIn) для РbТе<Те>:Іn. Визначено енергетичні величини, які характеризують дефекти кристалічної структури. Досліджено процеси, пов'язані із впливом електрично активного газу - кисню - на хімічний склад, структурні і фазові зміни, дефектну і електронну підсистеми плівок халькогенідів свинцю. Для пояснення кінетики впливу кисню запропоновані моделі зі складним спектром дефектів із врахуванням утворення та розпаду нейтральних комплексів власних дефектів і легуючої дії кисню. Досліджено кінетику утворення оксидних форм олова від температури та часу відпалу на повітрі плівок телуриду олова. Промодельовано вплив точкових дефектів у ГЦК-кристалах на зміну міжплощинних відстаней. Запропоновано модель генераційно-рекомбінаційного механізму утворення дефектів у плівках при опроміненні альфа-частинками. Одержано рекурентні формули, що описують процес ізохронного відпалу дефектів у обох підгратках бінарної сполуки. Здійснено аналіз температурних та концентраційних залежностей транспортних коефіцієнтів халькогенідів свинцю із врахуванням домінуючих механізмів розсіювання носіїв струму. Визначено оптимальні термоелектричні параметри для прогнозованого використання плівок у приладах термоелектрики. Ключові слова: плівки, халькогеніди свинцю, телурид олова, дефекти, метод гарячої стінки.