Кучук А.В. Структура та фізичні властивості тонкоплівкових дифузійних бар'єрів W-Ti-N та Ta-Si-N на підкладках арсеніду та нітриду галію. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. Інститут фізики напівпровідників їм. В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, 2006. Дисертація присвячена дослідженню структури та основних фізичних властивостей тонких плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, в залежності від вмісту азоту в процесі їх реактивного магнетронного розпиленням. Процес розпилення плівок W-Ti-N, із збільшенням парціального тиску азоту, розділений на три області: 1) MP - металічний режим; 2) ПР - перехідний режим; 3) HP - нітридний режим. Зміна потоку плівко-утворюючих часток (MP: атоми Me (W, Ті); ПР: кластери Me1.xNx; HP: атоми Me та N) приводить до еволюції фазового складу (MP: тверді розчини a-W(Tix, Ny) з ОЦК - ґраткою; ПР: псевдо аморфна фаза; HP: гомогенний твердий розчин WxTiyNz з ГЦК - ґраткою), до зростання атомної густини та питомого опору плівок. Оптимальні квазі-аморфні дифузійні бар'єри W64Ti16N20, запобігають взаємодифузії між Аu та GaAs, до термообробок при 750°С. Встановлено, що збільшення потоку азоту в розпилювальній плазмі, а отже і концентрації азоту в плівках Ta-Si-N, приводить до збільшення їх атомної густини, питомого опору та їх аморфізації, що пояснюється "пасивацією" нанозерен TaSix атомами азоту, яка перешкоджає їх коалесценцію. Збільшення "ступеня аморфізму", що корелює із зміною хімічного складу та різким збільшенням питомого опору плівок Ta-Si-N, пояснюється збільшенням в них вмісту фракції нітриду кремнію SiNx (діелектрик/аморфний), та зменшенням фракції нітриду танталу TaNx (провідник/полікристалічний). На підставі цієї моделі пояснюється також термічна стабільність плівок Ta34Si25N41 в системах Au-,Ag - GaAs та Au - GaN до 800°С. Ключові слова: тонкі плівки, реактивне магнетронне розпилення, структура, питомий опір, металізація, контакт метал-напівпровідник, термічний відпал, W-Ti-N та Ta-Si-N дифузійні бар'єри, термічна стабільність.