Іванишин І.М. Кристалохімія точкових дефектів і властивості нестехіометричного SnTe та твердих розчинів на його основі. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наук за спеціальністю 02.00.21 - хімія твердого тіла. Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, Івано-Франківськ, 2006. На основі проведених експериментальних досліджень фізико-хімічних властивостей бездомішкового нестехіометричного стануму телуриду підтверджено наявність двох електровалентних станів Sn2+ і Sn4+ та вперше розроблена нова модель точкових дефектів у Sn0,984Te із дво- та чотиризарядними .вакансіями у катіонній підгратці. Вперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння для різних механізмів дефектоутворення у легованому Ga, In, Sb, Bi p-SnTe та твердих розчинах систем Sn0,984Te-Ga (In, ТІ, Sb, Bi)-Te із врахуванням зарядових станів власних точкових дефектів, можливих зарядових станів домішок, їх локалізації в структурі типу NaCI та хімічної взаємодії. Визначено концентраційні межі реалізації даних механізмів. Показано, що утворення твердих розчинів пов'язане із процесами диспропорціювання зарядових станів як катіонних вакансій, так і домішкових йонів, а також перерозподілом вакансій Стануму та домішкових атомів за катіонними підгратками і процесами комплексоутворення з виділенням фаз типу сфалериту. Ключові слова: стануму телурид, дефектоутворення, нестехіометрія, легування, твердий розчин.