Кнрюша Б.А. Схемотехнічне моделювання НВЧ пристроїв. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.13.12 -Системи автоматизації проектувальних робіт. - Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут". - Київ, 2006. Дисертація присвячена дослідженню та розробці схемних моделей НВЧ пристроїв для вітчизняної схемотехнічної САПР ALLTED. Визначені переваги, недоліки та умови використання схемних моделей мікрополоскових НВЧ пристроїв. Запропоновано нові схемні моделі ідеальної та мікрополоскової ліній, які мають постійне значення амплітудо-частотної характеристики. На підставі досліджень топологій найбільш вживаних НВЧ пристроїв сформовано набір мікрополоскових неоднорідностей та виконано дослідження їх моделей для сучасних САПР. Розроблено нові формули розрахунку параметрів елементів мікрополоскових компонентів: "стрибок", асиметричний "стрибок", "обрив", "закоротка". Розроблено нові схемні моделі мікрополоскових компонентів: поворот, "оптимальний" поворот, Т-з'єднання, Х-з"еднання, розголуження з обривом, зв'язані лінії. Проведено дослідження та сформовано класифікацію моделей потужних польових транзисторів та гетеротранзисторів. Порівняльним моделюванням підтверджено, що створений за результатами дисертаційної роботи, набір моделей компонентів дає змогу моделювати роботу НВЧ пристроїв та переважає за похибкою моделі, які використовуються в пакеті схемотехнічного проектування HSPICE. Ключові слова: ALLTED, моделювання, мікрополоскові компоненти, гетеротранзистори, НВЧ польові транзистори, метод моментів.