Кідалов В. В. Гетероструктури на основі монокристалічних та поруватих сполук А2В6 та А3В5, отримані методом радикале - променевої епітаксії. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова, Одеса, 2006. Дисертація присвячена розробці фізико-технологічних основ отримання гетеропереходів на основі монокристалічних і поруватих сполук А2В6 і А3В5, методом радикало-променевої епітаксії та вивченню їх люмінесцентних, електрофізичних, структурних та морфологічних властивостей. У дисертації запропоновано для зменшення механічних напружень у гетероструктурі GaN/GaAs використовувати поруваті підкладки GaAs. За результатами комбінаційного розсіювання світла, дифрактометричних досліджень та спектрів фотолюмінесценції визначено напруження в плівках GaN, які отримані на монокристалічних та поруватих підкладках GaAs. Отримано нанопоруваті шари GaAs як n-, так і р- типу провідності. Оцінки розмірів кристалітів за результатами комбінаційного розсіювання світла, фотолюмінесценції й скануючої електронной мікроскопії показала добре їх узгодження між собою, значення яких знаходяться у межах 5-10 нм. У спектрах ФЛ поруватих шарів GaAs як n-, так і р- типу спостерігається випромінювання в області 1,85-2,1 еВ, пов'язане із квантово-розмірними ефектами в результаті утворення нанооб'єктів (квантових дротів). Моделювання процесу нітридизації GaAs дозволило встановити технологічні умови, за яких відбувається повне заміщення атомів миш'яка атомами азоту в підкладках GaAs і утворюються тонкі шари GaN в поверхневій області GaAs. Залежно від режимів радикало-променевої епітаксії отримано структури p-ZnO/p-ZnSe і p-ZnO/p-ZnSe/n-ZnSe. Вивчено фотолюмінесценцію шарів ZnO, отриманих методом радикало-променевої епітаксії. Досліджено вплив легування киснем плівок ZnS:Mn шляхом термообробки їх в потоці атомів кисню на люмінесцентні, електричні й фотоелектричні характеристики МДНДМ структур на основі цих плівок. Виявлено зміни в характеристиках, що свідчать про утворення на поверхні плівки тонкого шару ZnO, а під ним шару ZnS1-xOx, з малим значенням х. Ключові слова: радикало-променева епитаксія, радикал, поруватий GaAs, кубічний GaN, рідкоземельні елементи.