Заплітний Р.А. Х-променева дифрактометрія епітаксійних структур CdJTgLjTe та монокристалів Si після іонної імплантації- Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2006. У роботі проведено комплексні Х-променеві дослідження механізмів структурних змін у приповерхневих шарах іонно-імплантованих As кристалів CdTe (E=100 кеВ, D1=1015 см-2, епітаксійних структур CdxHg1.xTe зі складною дефектною структурою (дислокаційні петлі, малокутові границі, антиструктурні дефекти) після одно- та двократної імплантації іонами арсену (E=100 кеВ, D1=1015см-2, D2=(1015+2·1014)см-2. Визначено основні параметри індукованих дефектів (розмір, густину, концентрацію) та відновлено розподіл деформаційних полів у порушених приповерхневих шарах досліджуваних зразків. Отримані профілі характеризуються складною формою з максимальними значенням відносної деформацій 2,6?10-4 при однократній і 4,8?10-4 - при двократній імплантації. Виявлено, що збільшення дози імплантації приводить до збільшення концентрації радіаційних дефектів у приповерхневих шарах, у результаті чого відбувається зміщення максимуму деформації в область ядерних енергетичних втрат. Проведено також дослідження впливу комбінованої дії іонної імплантації фосфором і хімічного травлення на структурні властивості монокристалів кремнію. Визначено параметри основних типів дефектів і деформаційних полів у порушених приповерхневих шарах. Відтворені товщинні розподіли деформацій і структурних порушень, генерованих імплантацією фосфором і хімічним травленням, мають досить складну форму з максимальним значенням деформації~10-3 на глибині~700А. Ключові слова: Х-променева дифракція, дифрактометрія, криві дифракційного відбивання, топографія, іонна імплантація, мікродефекти, дислокаційні петлі, числове моделювання.