Заславський Б.Г. Технологічні основи вирощування лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів із розплавів зі змінною геометрією вільної поверхні. Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук за спеціальністю 05.02.01 - матеріалознавство. - Інститут монокристалів НАН України, Харків, 2005. Дисертація присвячена розробці принципів нового методу витягування кристалів із розплаву, геометрія вільної поверхні якого змінюється в тиглях перемінного по висоті перетину. У роботі також розглянуті технологічні основи автоматизованого вирощування великих (діаметром більш 500 мм і масою більш 250 кг) лужногалоїдних сцинтиляційних монокристалів новим методом. Вперше переборено основний і принциповий недолік усіх методів витягування, який полягає в тому, що поперечний переріз вирощуваного кристала визначається площею початкової поверхні розплаву. Запропоновано новий інформаційний параметр - інтервал часу між дозованими підживленнями - який дозволив розробити надійну і просту систему управління процесом і вперше у світовій практиці вирощування кристалів великих діаметрів автоматизувати стадію радіального росту. На основі викладених принципів розроблено й освоєно у виробництві два типи автоматизованих універсальних установок та відповідні технологічні процеси для вирощування сцинтиляційних ЛГК великих діаметрів: установки типа "КРИСТАЛЛ" з підживленням розплавленою первинною сировиною; установки типа "КРОС" з підживленням дрібнокристалічною первинною сировиною. Швидкість витягування кристалів Cs(Tl) діаметром до 440 мм складає до 6,3 мм/год, а кристалів Na(Tl) - до 5 мм/год, що дозволило в 2 рази збільшити продуктивність ростового устаткування. Ключові слова: сцинтиляційні лужногалоїдні монокристали, автоматизоване витягування, тиглі перемінного перетину, кисневмісні домішки.