Довганюк В.В. "Зміни у дефектній структурі кристалів кремнію після високоенергетичного опромінення за даними методів високороздільної х-променевої дифрактометрії" - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2006. Дисертація присвячена вибору механізмів структурних перетворень та моделі дефектної структури кристалів кремнію, які дозволили.адекватно описати всю складність структурних змін у цих кристалах після опромінення високоенергетичними електронами на основі аналізу результатів досліджень методами повної інтегральної відбивної здатності, дво- та трикристальної спектрометрії, а також комп'ютерного моделювання. Для інтфіїретації результатів експериментальних досліджень використано основні положення динамічної теорії розсіяння Х-променів у реальних кристалах з рівномірно розподіленими мікродефектами та порушеним поверхневим шаром. Враховуючи складність та різноманітність дефектної структури монокристалічного Cz-Si домінуючими типами дефектів обрано дископодібні та сферичні кластери - преципітати SiO2 та дислокаційні петлі. Згідно з обраною моделлю дефектної структури досліджено динаміку зміни концентрацій і розмірів мікродефектів до і після опромінення кристалів. Використана при інтерпретації результатів методу ПГВЗ, модель дефектної структури кристалів кремнію з великою кількістю домінуючих типів дефектів дозволила якісно і кількісно описати результати дослідження методом КДВ. Використання різних порядків відбивання для методів ГПВЗ і КДВ дозволило виявити неоднорідний розподіл мікродефектів за товщиною кристала. Ключові слова: Х-променева дифрактометрія, електронне опромінення, дислокаційні петлі, преципітати SiO2 мікродефекти, дифузне розсіяння, монокристалічний Cz-Si.