Гугля О.Г. Нанокристалічні Cr-N та V-N покриття. Створення та дослідження. Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Інститут електрофізики та радіаційних технологій НАН України, м. Харків, 2006. Дисертація присвячена дослідженню структурних та електрофізичних характеристик нанокристалічних Cr-N та V-N покриттів, а також їх радіаційної стійкості та механічної міцності. Для здобуття такого типу покриттів була використана технологія іонно-стимульованого осадження, яка об'єднує випаровування атомів та молекул металу та бомбардування газовими іонами, які мають енергію у декілька десятків кеВ. Проведене математичне моделювання такого процесу довело, що внаслідок різниці у глибинах залягання іонів та створюємих дефектів умови, за яких зароджується структура та формується є різними. Вивчення особливостей створення покриттів призвело до висновку, що структура сформованого Cr-N матеріалу є нанокристалічною з розміром зерна 3-6 нм з вузькими границями. Електроопір таких композитів дорівнює 1-4· 10-4 ?· см. Температурний коефіцієнт позитивний - 3-4· 10-4 град-1 .Структура V-N покриття також нанокристалічна, розмір зерна якої дорівнює 20-50 нм. Границі між зернами більш широкі та містять у собі вакансійні чи азот-вакансійні пори розміром 3-6 нм. Електроопір більш високий - 1-3? 10-3 ?· см. Температурний коефіцієнт негативний - 5-7· 10-4 град-1. У дисертації показано, що бомбардування іонами азоту таких покриттів на початковому етапі призводить до заповнення вільних зв'язків між атомами металу та азоту. Внаслідок цього створюються стехіометричні фази CrN та VN. З підвищенням дози опромінення CrN покриття має місце зростання великих( 100-200 нм) зон з різною текстурою росту. Внаслідок цього електроопір зростає. Видимих змін у структурі VN композиту не відбувається хоча електроопір тех. підвищується. При опроміненні іонами гелію основна його частина дифундує на границі зерен та створює там газові комплекси - He-Nv. При максимальних дозах опромінення відбувається збільшення тиску у цих комплексах та руйнування Cr-N покриттів. V-N покриття більш стабільні. При підвищенні тиску у газових комплексах частина гелію дифундує по границям зерен до поверхні покриття і залишає його. Руйнування не має місця. Завдяки використанню високоенергетичних іонів у іонно-стимульованій технології суттєво підвищується зчеплення покриттів з основою. Причому, чим більше пор у покритті, тим сильніше зчеплення. Однак інтенсивне перемішування покриття з більш м'яким матеріалом підкладки негативно позначається на твердості покриття. Внаслідок цього спостерігається зменшення твердості при збільшенні адгезії. Ключові слова: іонно-стимульоване осадження, нанокристалічні структури, моделювання, адгезія, мікротвердість, радіаційні пошкодження, нітрид хрому, нітрид ванадію.