Вітусевич С.А. "Явища переносу в квантово-розмірних гетероструктурах на основі елементів III-V груп". - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. - Інститут фізики напівпровідників ім. В.Е. Лашкарьова НАН України, Київ, 2006 р. Встановлено механізми тунелювання в двобар'єрних резонансно-тунельних діодах (ДБРТД) з широким спейсерним шаром. Виявлені осциляції струму та ефект власної бістабільності добре узгоджуються з запропонованою теоретичною моделлю квантової інтерференції. Досліджено механізми модифікації транспортних явищ ДБРТД під дією напруги, індукованої електричним полем надгратки. Встановлена кореляція між електрофізичними, оптичними, технологічними параметрами та вивченими квантово-розмірними ефектами в р-n діоді з двома зв'язаними дельта легованими шарами. Вивчено особливості явищ переносу р-n діода з двобар'єрною структурою, в ямі якої самоузгоджено сформовані квантові точки. Встановлено механізми формування осциляційної структури та бістабільності як S-, так і Z-виду, які добре описуються в рамках запропонованої теоретичної моделі. Визначено окремо вплив ефектів на гарячих носіях струму та саморозігріву зразка під дією ефекту Джоуля на транспортні явища у AlGaN/GaN гетероструктурі. Продемонстровано найнижчий рівень фазового шуму у і розроблених нових видах високочастотних осциляторів (23 ГТц та 10 ГГц) порівняно з рівнями фазового шуму комерційних осциляторів. Ключові слова: двобар'єрний резонансно-тунельний діод, AlGaAs/GaAs, AlGaN/GaN, квантові точки, ефект власної бістабільності, квантово-розмірні ефекти, радіаційна стійкість, 1/fшум, фазовий шум.