Вовк Я.М. Процеси переносу та захоплення носив заряду в гетеросистемах аморфна плівка - кристалічний кремній. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників та діелектриків. Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Київ, 2005. В дисертаційній роботі досліджуються механізми переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах a-Si:H(Er)/c-Si, SiO2(Ge)/c-Si та a-SiC/c-Si, механізм електролюмінесценції в гетероструктурі a-Si:H(Er)/c-Si, а також вплив низькотемпературної ВЧ плазмової обробки на електрофізичні та оптичні властивості гетеросистем SiO2(Ge)/c-Si та a-SiC/c-Si. В результаті проведених досліджень було встановлено механізми переносу носіїв заряду в гетеросистемах a-Si:H(Er)/c-Si, SiO2(Ge)/c-Si та a-SiC/c-Si, показано, що у випадку гетероструктур a-Si:H(Er)/c-Si і a-SiC/c-Si струм визначається як електронами, так і дірками. Базуючись на дослідженні процесів струмопереносу і глибоких рівнів, що виникають в забороненій зоні плівки a-Si:H при введенні атомів Ег, побудовано модель збудження ЕЛ в гетероструктурі a-Si:H(Er)/c-Si, яка полягає в захопленні та рекомбінації носіїв заряду на електронно-діркових станах, з енергіями Ес-0.55 еВ та Ev+0.40?0.44 еВ, розташованих поблизу ербієво-кисневого комплексу, з послідуючою резонансною передачею енергії електрону, що знаходиться на внутрішній оболонці іону ербію 4І15/2 із його переходом на рівень 4І13/2. Вперше продемонстрована можливість суттєвого покращення стабільності роботи електролюмінесцентних приладів на основі шарів Si02, що містять нанокластери Ge за допомогою низькотемпературної ВЧ плазмової обробки. Крім того, показано, що низькотемпературна ВЧ плазмова обробка призводить до суттєвого покращення омічності контакту Al/a-SiC. Ключові слова: аморфна плівка, гетероструктура, струмопереніс, електролюмінесценція, плазмова обробка.