Будзуляк С.І. "Механізми тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах кремнію й германію n-типу" Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. - Чернівецький національний університет ім. Ю Федьковича. Чернівці, 2006 р. Дисертація містить результати комплексних досліджень основних закономірностей та особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у сильно деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Представлено методи визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багато долинних напівпровідників. Встановлено, що поряд із класичними механізмами перерозподілу електронів між долинами існують додаткові механізми, які пов'язані з радикальною перебудовою зони провідності за рахунок деформаційно-індукованого збільшення ефективної маси електрона. Для сильно легованих кристалів кремнію за умови досягнення переходу метал-ізолятор отримана залежність ефективної маси електрона від одновісного тиску, що знаходиться в повній відповідності з теоретичними розрахунками, а також з експериментальними даними. З'ясовані особливості ударної іонізації станів мілких домішок на ізоляторній стороні деформаційно-індукованого переходу метал-ізолятор для сильно легованих кристалів кремнію й германію n-типу провідності. Виявлено особливості електрофізичних властивостей нейтронно-легованих кристалів кремнію, зумовлених наявністю високотемпературних технологічних термодонорів. Ключові слова: Тензорезистивний ефект, кремній, германій, перехід метал-ізолятор, критична концентрація, нейтронне легування властивості, ефективна маса, термодонори, одновісний тиск.