Бутько В.Г. Електронна щільність і градієнт електричного поля в купратах та рідкісноземельних оксидах. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна, Національна академія наук України, Донецьк, 2006. Дисертація присвячена застосуванню модифікованого статистичного методу до розрахунків електронних властивостей металооксид-них кристалів. Продемонстровано ефективність методу при розрахунках багатокомпонентних кристалів зі змішаним типом хімічного зв'язку і великим числом атомів в елементарній комірці. Детальне дослідження розподілу електронної щільності в сполуці Y1-х Prv Ba2CuO7 дозволило зняти протиріччя між структурними даними нейтронографічних і рентгенівських вимірів цієї системи. У рамках модифікованого статистичного методу отриманий гарний кількісний опис тензора градієнта електричного поля як при стиску, так і при зміні стехіометрії системи. Виявлена зміна знака похідної квадрупольної константи за тиском при переході від орто-ромбічної структури до тетрагональної пояснює істотний вплив нестійкості ґратки La-Sr оксидів на електричні надтонкі взаємодії. Було проведено вивчення можливості зміни валентності рідкісноземельних іонів під впливом надвисокого тиску при незмінності кристалічної структури сполук. Проведені розрахунки розподілу електронної щільності кристалів РrO2 і Sm2О3 при різних ступенях стиску й обчислені відповідні середні заряди іонів. Відповідно до принципу електронейтральності Полінга аналізується припущення про те, що динаміка зміни величини середнього заряду іона може служити мірою нестійкості системи. В такому ракурсі розглянутий структурний фазовий перехід, ініційований високим тиском, в кристалі ЕиО. Результати розрахунків добре корелю-ються з експериментальними даними. Ключові слова: електронна щільність, розподіл електронної щільності, модифікований статистичний метод, металооксиди, хімічний зв'язок, ядерний квадрупольний резонанс, рідкісноземельний, градієнт електричного поля, високий тиск.