Білічук С.В. Технологія одержання та фізичні властивості тонких плівок халькопіритних напівпровідників і прозорих оксидів металів для фотоперетворювачів. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. -Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2005. Дисертація присвячена дослідженню впливу технологічних режимів на структурні, оптичні та електричні властивості тонких плівок твердих розчинів CuInxGa1-xSe2 (CIGS) і прозорих провідних оксидів металів SnO2, 1TO, CdO і ZnO, одержаних методами термічного випаровування та магнетронного розпилення. Розвинута низькотемпературна технологія одержування плівок CIGS і оксидів металів, запропоновано та створено дослідну конструкцію сонячного елемента на основі гетероструктури CIGS/CdS, яка забезпечує більший захист фотоелектричного перетворювача від впливу зовнішнього агресивного середовища. Досліджено вплив типу фронтального покриття та товщини шару CdS на ефективність фотоелектричного перетворювача. Ключові слова: халькопіритами напівпровідник, оксиди металів, плівка, магнетронне розпилення, термічна обробка, сонячний елемент.