Авотіна Є. С. Вплив одиничних дефектів на нелінійну провідність квантових контактів. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07- "Фізика твердого тіла". Фізико-технічний інститут ім. Б.І. Вєркіна НАН України. Харків, 2006. У дисертаційній роботі розглянуто вплив одиничних дефектів на нелінійну провідність квантових контактів. Сформульовано тривимірні моделі, що адекватно описують реальні експерименти. Отримано вираз для нелінійної провідності тунельного контакту й балістичного мікрозвуження. Показано, що провідність є осцилюючою функцією прикладеної напруги й відстані між контактом і дефектом. Осциляції обумовлені ефектом квантової інтерференції між електронними хвилями. Теоретично обґрунтований новий метод дефектоскопії провідників за допомогою скануючого тунельного мікроскопу, що дозволяє визначити положення дефекту. Потужність дробового шуму і провідність квантового дротика, що містить одиничні дефекти й бар'єр, осциляційним чином залежить від прикладеної напруги. Періоди осциляцій визначаються відстанями між дефектами, а також дефектами та бар'єром. Амплітуда осциляцій залежить від положення дефектів щодо осі дротика. Залежність від енергії ймовірності проходження електронів через квантовий дротик дозволяє пояснити пригнічення осциляцій провідності контакту, що спостерігалося експериментально, поблизу значень кратних кванту провідності. Показано, що вплив "повільної" дворівневої системи на провідність квантового дроту залежить від двох позицій дефекту усередині її. Передбачено, що при зміні діаметра дротика поправка до провідності та мікроконтактний спектр можуть змінювати знак. Ключові слова: нелінійна провідність, квантовий контакт, точковий дефект, дробовий шум, дворівнева система.