Андрєєв Є. П. Групові методи вирощування профільованого сапфіру. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.02.01 - матеріалознавство. - Інститут монокристалів НАН України, Харків, 2005. Дисертація присвячена дослідженню і розробці групових методів вирощування профільованого сапфіру. Досліджено вплив умов вирощування і відпалу на структурну досконалість профільованого сапфіру. Встановлено зв'язок кількості і розподілу пір в кристалах з конструкцією капілярної системи формоутворювача, кращі за якістю кристали одержані на формоутво-рювачах, що мають мінімальну кількість живлячих каналів. Вперше встановлено, що руйнування формоутворювачів з багатоканальним підживленням зони зростання відбувається по межах зіткнення потоків розплаву і носить кавітаційний характер. Вперше запропоновано коаксіальний спосіб вирощування групи профілів, розраховано теплові умови в системі коаксіальних сапфірових трубок і знайдена можливість поліпшення якості внутрішніх профілів залежно від кількості зовнішніх профілів. Запропоновано ряд способів вирощування профільованих кристалів для отримання виробів з дном високої оптичної якості. Розроблено спосіб автоматичного затравлення, заснований на тепловому розширенні елементів технологічного оснащення, який виключає суб'єктивний чинник і випадкове пошкодження формоутворювачів. Запропоновано конструкції тигля і капілярної системи із знімними формоутворювальними насадками, які значно знижують витрати тугоплавких металів. Розроблено ефективний спосіб очищення молібденових і вольфрамових деталей технологічного оснащення від корунду для відновлення їх працездатності. Ключові слова: сапфір, профільовані кристали, формоутворювач, пори, розплав, структурна досконалість, технологічне оснащення, теплова зона, коаксіальне вирощування.